IRL1404ZSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 75A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 75A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.1 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.7В |
| Заряд затвора: | 110нКл |
| Входная емкость: | 5080пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.35 г. |
| Наименование: | IRL1404ZSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IRL1404ZSTRLPBF от Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный N-канальный MOSFET-транзистор предназначен для широкого спектра применений в силовой электронике, где требуются высокие токи и напряжения.
Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 40В, максимальный ток стока 75А и сопротивление открытого канала всего 3.1 мОм. Кроме того, транзистор рассчитан на максимальную мощность 200Вт, что делает его идеальным решением для высокоэффективных схем.
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Ток стока макс.: 75А
- Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
- Заряд затвора: 110нКл
- Входная емкость: 5080пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.35 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Данный транзистор IRL1404ZSTRLPBF от Infineon Technologies находит широкое применение в различных областях силовой электроники, таких как импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы для возобновляемых источников энергии, электродвигатели и многое другое. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он является идеальным выбором для инженеров, разрабатывающих высокопроизводительные и энергоэффективные электронные устройства.