IRL3803PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 140А 150Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 140A |
| Сопротивление открытого канала: | 6 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 140нКл |
| Входная емкость: | 5000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.12 г. |
| Наименование: | IRL3803PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 140A 150W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор IRL3803PBF от Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает впечатляющими характеристиками и предназначен для широкого спектра применений в электронной промышленности.
Транзистор IRL3803PBF отличается высокой надежностью, эффективностью и энергоэкономичностью. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала и высокому току стока, он идеально подходит для использования в мощных электронных схемах, где требуется управление большими токами и напряжениями.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 140A
- Сопротивление открытого канала: 6 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 140нКл
- Входная емкость: 5000пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 3.12 г.
Благодаря своим характеристикам, транзистор IRL3803PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая преобразователи постоянного тока, регуляторы напряжения, инверторы, электродвигатели и многие другие высокомощные схемы. Его надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокопроизводительные и энергоэффективные устройства.