IRL540NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 36A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 36A |
| Сопротивление открытого канала: | 44 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 74нКл |
| Входная емкость: | 1800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2.3 г. |
| Наименование: | IRL540NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET IRL540NSTRLPBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор обеспечивает отличные характеристики коммутации и высокую надежность, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений в электронике и силовой электронике.
Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 100В, максимальный ток стока 36А, низкое сопротивление открытого канала 44 мОм и максимальную мощность 3.8Вт. Транзистор имеет логический уровень управления затвором и обладает быстрым переключением, что позволяет использовать его в высокочастотных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Ток стока макс.: 36A
- Сопротивление открытого канала: 44 мОм
- Мощность макс.: 3.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 74нКл
- Входная емкость: 1800пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 2.3 г
- Тип упаковки: Tape and Reel
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRL540NSTRLPBF находит широкое применение в различных областях, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, приводы электродвигателей, а также в других схемах силовой электроники, требующих высокую производительность и надежность. Благодаря своим техническим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.