IRL7833PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 150А, 140Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 150A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.8 мОм |
| Мощность макс.: | 140Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.3В |
| Заряд затвора: | 47нКл |
| Входная емкость: | 4170пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.8 г. |
| Наименование: | IRL7833PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 150A |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой MOSFET-транзистор IRL7833PBF от Infineon Technologies. Данное устройство обладает высокими характеристиками и предназначено для использования в различных электронных схемах и устройствах, где требуется высокая мощность и надежность.
IRL7833PBF – это N-канальный полевой транзистор с логическим уровнем управления затвором, способный работать при напряжении до 30В и токе стока до 150А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 3.8 мОм и максимальной мощности 140Вт, этот транзистор идеально подходит для применения в мощных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании, электродвигателях и других высокотоковых устройствах.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 150A
- Сопротивление открытого канала: 3.8 мОм
- Мощность макс.: 140Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.3В
- Заряд затвора: 47нКл
- Входная емкость: 4170пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 2.8 г
IRL7833PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовые преобразователи, инверторы, сварочное оборудование, электродвигатели, зарядные устройства и другие высокотоковые приложения. Благодаря своей надежности и высокой производительности, данный транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных и эффективных электронных систем.