IRLB3813PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 260А 230Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 260A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.95 мОм |
| Мощность макс.: | 230Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 86нКл |
| Входная емкость: | 8420пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.85 г. |
| Наименование: | IRLB3813PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRLB3813PBF от надежного производителя Infineon Technologies. Этот транзистор отличается впечатляющими характеристиками, что делает его незаменимым компонентом для широкого спектра электронных устройств и силовых схем.
Благодаря высокому напряжению сток-исток до 30В, максимальному току стока 260А и низкому сопротивлению открытого канала всего 1.95 мОм, транзистор IRLB3813PBF способен коммутировать значительные токовые нагрузки. Кроме того, его максимальная мощность 230Вт позволяет использовать его в энергоемких приложениях.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 260A
- Сопротивление открытого канала: 1.95 мОм
- Мощность макс.: 230Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
- Заряд затвора: 86нКл
- Входная емкость: 8420пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
Благодаря своим характеристикам транзистор IRLB3813PBF находит применение в широком круге электронных устройств, включая импульсные источники питания, инверторы, сварочные аппараты, зарядные устройства, электроприводы и другие мощные силовые схемы. Его надежность и высокая производительность делают его оптимальным выбором для энергоемких приложений, где требуется эффективное управление большими токами.