Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRLB4030PBF от компании Infineon Technologies. Этот транзистор обладает целым рядом преимуществ, делающих его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

Ключевые характеристики данной модели:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 180A
• Сопротивление открытого канала: 4.3 мОм
• Мощность макс.: 370Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
• Заряд затвора: 130нКл
• Входная емкость: 11360пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.9 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор IRLB4030PBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как силовая электроника, системы управления двигателями, источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и многих других. Его высокая надежность и эффективность делают его идеальным выбором для проектирования энергоэффективных и надежных электронных устройств.