IRLHS2242TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 7.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 31 мОм |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 877пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.06 г. |
| Наименование: | IRLHS2242TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | PQFN6-(2x2) |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канала IRLHS2242TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается надёжностью, высокой производительностью и широким диапазоном применения в современной электронике.
Транзистор IRLHS2242TRPBF обладает оптимальным сочетанием технических характеристик, что делает его отличным выбором для использования в различных силовых схемах, устройствах управления двигателями, импульсных источниках питания и других приложениях, требующих коммутации высоких токов при низком сопротивлении открытого канала.
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 7.2A
- Сопротивление открытого канала: 31 мОм
- Мощность макс.: 2.1Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
- Заряд затвора: 12нКл
- Входная емкость: 877пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.06 г
- Описание Eng: MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: PQFN6-(2x2)
Транзистор IRLHS2242TRPBF идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая импульсные источники питания, регуляторы напряжения, схемы управления двигателями, усилители мощности и другие приложения, где требуется надёжное и эффективное управление высокими токами. Благодаря компактному корпусу PQFN и низкому сопротивлению открытого канала, этот транзистор обеспечивает высокую плотность интеграции и минимальные потери мощности, что делает его привлекательным выбором для современных энергоэффективных разработок.