• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLHS2242TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 15A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:20В
Ток стока макс.:7.2A
Сопротивление открытого канала:31 мОм
Мощность макс.:2.1Вт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:1.1В
Заряд затвора:12нКл
Входная емкость:877пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.06 г.
Наименование:IRLHS2242TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:PQFN6-(2x2)

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канала IRLHS2242TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается надёжностью, высокой производительностью и широким диапазоном применения в современной электронике.

Транзистор IRLHS2242TRPBF обладает оптимальным сочетанием технических характеристик, что делает его отличным выбором для использования в различных силовых схемах, устройствах управления двигателями, импульсных источниках питания и других приложениях, требующих коммутации высоких токов при низком сопротивлении открытого канала.

  • Напряжение исток-сток макс.: 20В
  • Ток стока макс.: 7.2A
  • Сопротивление открытого канала: 31 мОм
  • Мощность макс.: 2.1Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
  • Заряд затвора: 12нКл
  • Входная емкость: 877пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.06 г
  • Описание Eng: MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: PQFN6-(2x2)

Транзистор IRLHS2242TRPBF идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая импульсные источники питания, регуляторы напряжения, схемы управления двигателями, усилители мощности и другие приложения, где требуется надёжное и эффективное управление высокими токами. Благодаря компактному корпусу PQFN и низкому сопротивлению открытого канала, этот транзистор обеспечивает высокую плотность интеграции и минимальные потери мощности, что делает его привлекательным выбором для современных энергоэффективных разработок.