IRLI3705NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 52A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 52A |
| Сопротивление открытого канала: | 10 мОм |
| Мощность макс.: | 58Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 98нКл |
| Входная емкость: | 3600пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB Full-Pak |
| Вес брутто: | 2.91 г. |
| Наименование: | IRLI3705NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Транзистор IRLI3705NPBF от компании Infineon Technologies является высокопроизводительным N-канальным полевым транзистором MOSFET. Этот мощный компонент способен работать при напряжении до 55 В и обеспечивать ток стока до 52 А, что делает его отличным выбором для широкого спектра электронных устройств, требующих высокой мощности и эффективности.
Основные характеристики транзистора IRLI3705NPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 52A
- Сопротивление открытого канала: 10 мОм
- Мощность макс.: 58Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 98нКл
- Входная емкость: 3600пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB Full-Pak
- Вес брутто: 2.91 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 52A TO220FP
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор IRLI3705NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, инверторы, сварочные аппараты, приводы электродвигателей и многие другие устройства, где требуется высокая мощность и эффективность. Благодаря своим впечатляющим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных и надежных электронных систем.