IRLL024NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 3.1А 2.1Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 65 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 15.6нКл |
| Входная емкость: | 510пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.37 г. |
| Наименование: | IRLL024NTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Полевой MOSFET транзистор IRLL024NTRPBF производства Infineon Technologies предлагает высокую производительность при низком сопротивлении открытого канала. Данная модель относится к категории одиночных N-канальных MOSFET транзисторов и отличается надежностью, универсальностью и эффективностью.
Транзистор IRLL024NTRPBF обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 3.1A
- Сопротивление открытого канала: 65 мОм
- Мощность макс.: 1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 15.6нКл
- Входная емкость: 510пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.37 г
Транзистор IRLL024NTRPBF широко применяется в различных электронных устройствах и схемах, где требуется надежное и эффективное управление силовыми цепями. Он идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, регуляторах напряжения, усилителях мощности, а также в качестве ключевых элементов в схемах управления двигателями и другой электронной аппаратуре.