IRLL024ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 5А 2.8Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 5A |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 380пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.85 г. |
| Наименование: | IRLL024ZTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор IRLL024ZTRPBF от компании Infineon Technologies - надежный и высокопроизводительный компонент для широкого спектра электронных устройств. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает оптимальным сочетанием технических характеристик, что делает его отличным выбором для применения в различных схемах и приложениях.
Основные характеристики транзистора IRLL024ZTRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 5A
- Сопротивление открытого канала: 60 мОм
- Мощность макс.: 1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Заряд затвора: 11нКл
- Входная емкость: 380пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.85 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор IRLL024ZTRPBF идеально подходит для использования в широком спектре электронных схем и устройств, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, усилители мощности, моторные приводы, а также в различных промышленных и потребительских приложениях, где требуются надежные и высокопроизводительные компоненты. Благодаря своим выдающимся техническим характеристикам и возможности поверхностного монтажа, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.