IRLMS1503TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 1.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 9.6нКл |
| Входная емкость: | 210пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TSOP-6 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | IRLMS1503TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор IRLMS1503TRPBF от Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET-транзистор отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применений в электронных устройствах.
Транзистор IRLMS1503TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 30В и максимальным током стока 3.2А. Сопротивление открытого канала составляет всего 100 мОм, что обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Кроме того, транзистор имеет пониженное пороговое напряжение включения (максимум 1В), что позволяет использовать его в схемах управления с низким уровнем сигнала.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 3.2A
- Сопротивление открытого канала: 100 мОм
- Мощность макс.: 1.7Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 9.6нКл
- Входная емкость: 210пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: TSOP-6
- Вес брутто: 0.03 г.
Транзистор IRLMS1503TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, усилители мощности и многое другое. Его компактный поверхностный корпус TSOP-6 позволяет легко интегрировать его в современные миниатюрные схемы. Благодаря высокой надежности и эффективности, этот транзистор является отличным выбором для широкого спектра применений в электронной промышленности.