IRLR3717PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 120A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 4 мОм |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.45В |
| Заряд затвора: | 31нКл |
| Входная емкость: | 2830пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.7 г. |
| Наименование: | IRLR3717PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор IRLR3717PBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в различных областях электроники.
Ключевые особенности данного компонента:
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Максимальный ток стока: 120 А
- Сопротивление открытого канала: 4 мОм
- Максимальная мощность: 89 Вт
- Тип транзистора: N-канальный
- Пороговое напряжение включения: макс. 2.45 В
- Заряд затвора: 31 нКл
- Входная емкость: 2830 пФ
- Тип монтажа: поверхностный (SMD)
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес: 0.7 г
- Тип упаковки: туба (Tube)
- Количество в упаковке: 75 шт.
Транзистор IRLR3717PBF идеально подходит для широкого спектра применений, включая мощные импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, приводы электродвигателей и другие высокотоковые схемы. Благодаря своим превосходным характеристикам, таким как низкое сопротивление открытого канала и высокая максимальная мощность, этот компонент обеспечивает эффективную и надежную работу в самых требовательных приложениях.