IRLR7807ZPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43А
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 43A |
| Сопротивление открытого канала: | 13.8 мОм |
| Мощность макс.: | 40Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.25В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 780пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.6 г. |
| Наименование: | IRLR7807ZPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 30V 43A |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор IRLR7807ZPBF от Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой производительностью и надежностью, что делает его идеальным выбором для широкого спектра электронных устройств.
Транзистор IRLR7807ZPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 30В и максимальным током стока 43А. Его низкое сопротивление открытого канала 13.8 мОм и максимальная мощность 40Вт обеспечивают высокую эффективность и малые потери. Особенность этого транзистора - поддержка логического уровня управления, что позволяет упростить схемотехнику устройств.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 43А
- Сопротивление открытого канала: 13.8 мОм
- Мощность макс.: 40Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.25В
- Заряд затвора: 11нКл
- Входная емкость: 780пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.6 г
Транзистор IRLR7807ZPBF идеально подходит для использования в широком спектре силовых электронных схем, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, системы управления электродвигателями и другие приложения, требующие надежных и эффективных полупроводниковых ключей. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров, работающих над разработкой современных энергоэффективных устройств.