IRLTS2242TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.9А 2Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 6.9А |
| Сопротивление открытого канала: | 32 mOhm |
| Мощность макс.: | 2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.1В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 905пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 6-TSOP |
| Вес брутто: | 0.07 г. |
| Наименование: | IRLTS2242TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET P-канальный IRLTS2242TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокими эксплуатационными характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.
Транзистор IRLTS2242TRPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 20В, максимальным током стока 6.9А и максимальной мощностью 2Вт. Он имеет низкое сопротивление открытого канала всего 32 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Особенностью данного транзистора является поддержка логического уровня управления затвором, что упрощает интеграцию в различные схемы.
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 6.9А
- Сопротивление открытого канала: 32 мОм
- Мощность макс.: 2Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В
- Заряд затвора: 12нКл
- Входная емкость: 905пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: 6-TSOP
- Вес брутто: 0.07 г
- Описание на английском: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор IRLTS2242TRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, регуляторы напряжения, высокоэффективные инверторы, системы управления двигателями и другие схемы, где требуется мощный и эффективный ключевой элемент. Благодаря своим характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над созданием современных электронных устройств.