IRLZ44NSTRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 47A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 47A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 3.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 48нКл |
| Входная емкость: | 1700пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.7 г. |
| Наименование: | IRLZ44NSTRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный IRLZ44NSTRLPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками, что делает его идеальным решением для широкого спектра применений в области электроники и силовой электроники.
Транзистор IRLZ44NSTRLPBF отличается высокой надежностью, долговечностью и эффективностью. Его ключевые особенности включают в себя высокое напряжение сток-исток до 55 В, большой ток стока до 47 А и низкое сопротивление открытого канала всего 22 мОм. Эти характеристики позволяют использовать данный транзистор в мощных и энергоэффективных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 47A
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм
- Мощность макс.: 3.8Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 48нКл
- Входная емкость: 1700пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Транзистор IRLZ44NSTRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, электродвигатели и другие высокомощные схемы. Благодаря своим превосходным характеристикам и надежности, этот компонент является отличным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.