FDP33N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 33A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 33A |
| Сопротивление открытого канала: | 94 мОм |
| Мощность макс.: | 235Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 48нКл |
| Входная емкость: | 2135пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP33N25 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 33A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
Компонент FDP33N25, Транзистор полевой N-канальный 250В 33A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 33A Сопротивление открытого канала: 94 мОм Мощность макс.: 235Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.