Представляем вашему вниманию высокопроизводительную микросхему статической оперативной памяти (SRAM) от компании Integrated Silicon Solution, Inc. - IS61LV6416-10TL. Это асинхронная SRAM-микросхема с объемом памяти 1 Мбит (64K x 16) и быстродействием 10 нс, обеспечивающая надежную и эффективную работу в широком спектре электронных устройств.

Данная микросхема SRAM отличается высокой производительностью, низким энергопотреблением и широким диапазоном рабочих напряжений от 3,135 В до 3,6 В. Корпус микросхемы выполнен в формате TSOP44-II, что обеспечивает компактность и удобство использования.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 1M (64K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 3.135 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 3.48 г
• Примечание: 64K х 16, 3,3V
• Описание Eng: SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II
• Тип упаковки: Tray (палетта)
• Нормоупаковка: 135 шт

Благодаря своим характеристикам, микросхема SRAM IS61LV6416-10TL идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, таких как промышленные контроллеры, встраиваемые системы, коммуникационное оборудование, медицинская техника и многие другие. Ее высокая производительность и низкое энергопотребление делают ее незаменимым компонентом для разработки современных и эффективных электронных систем.