Представляем вашему вниманию статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) IS61WV25616BLL-10TLI-TR от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Это высокопроизводительная, асинхронная SRAM-микросхема с объёмом памяти 4 Мбит (256К x 16) и предельным быстродействием в 10 наносекунд.

Данная микросхема SRAM отличается широким диапазоном рабочих напряжений от 2,4 до 3,6 В и выпускается в компактном корпусе типа TSOP44-II. Изделие поставляется в стандартной упаковке "лента в катушке" по 1000 штук, что делает его удобным для массового использования.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 4M (256K x 16)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 1.66 г
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Статические ОЗУ IS61WV25616BLL-10TLI-TR находят широкое применение в различных электронных устройствах, требующих высокоскоростного хранения данных, таких как: промышленные контроллеры, телекоммуникационное оборудование, бортовая электроника, медицинские приборы и многое другое. Благодаря своим техническим характеристикам и надёжности, данная микросхема является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих в сфере электроники.