Представляем вашему вниманию статическую память SRAM от компании Integrated Silicon Solution, Inc. Модель IS61WV5128BLL-10TLI-TR отличается высокой скоростью работы, низким энергопотреблением и широким диапазоном рабочих напряжений, что делает её идеальным решением для различных электронных устройств.

Эта микросхема SRAM обладает объёмом памяти 4 Мбит (512K x 8) и обеспечивает быстродействие в 10 нс, что позволяет использовать её в высокопроизводительных системах. Параллельный интерфейс и поддержка напряжений питания от 2,4 до 3,6 В делают модуль IS61WV5128BLL-10TLI-TR универсальным решением для широкого круга применений.

• Тип памяти: SRAM - Asynchronous
• Объем и организация памяти: 4M (512K x 8)
• Быстродействие: 10ns
• Интерфейс: Parallel
• Напряжение питания: 2.4 V ~ 3.6 V
• Корпус: TSOP44-II
• Вес брутто: 0.7 г
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Микросхема IS61WV5128BLL-10TLI-TR находит широкое применение в различных электронных устройствах, где требуется высокая производительность и низкое энергопотребление. Она может использоваться в промышленной автоматизации, системах обработки сигналов, сетевом оборудовании, устройствах хранения данных и многих других областях.