IRFI1010NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 49A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 58Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 130нКл |
| Входная емкость: | 2900пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.89 г. |
| Наименование: | IRFI1010NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFI1010NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 58Вт, 0.012 Ом - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 49A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 58Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.