• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

M93C46-RMN3TP/K, Энергонезависимое ППЗУ шина MICROWIRE 1MB 8SOIC

Нет изображения
Категория:EEPROM память
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Тип памяти:EEPROM
Объем и организация памяти:1K (128 x 8 or 64 x 16)
Быстродействие:2MHz
Интерфейс:Microwire, 3-Wire Serial
Напряжение питания:1.8 V ~ 5.5 V
Наименование:M93C46-RMN3TP/K
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:EEPROM MICROWIRE 1MB 8SOIC
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2500 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию энергонезависимое программируемое постоянное запоминающее устройство (EPPROM) M93C46-RMN3TP/K от компании ST Microelectronics. Данный компонент обладает широкими возможностями и предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надёжного хранения данных.

Микросхема M93C46-RMN3TP/K имеет ёмкость памяти 1 Мбит, организованной в виде 128 страниц по 8 бит или 64 страницы по 16 бит. Высокое быстродействие в 2 МГц позволяет использовать данный EEPROM в приложениях, требующих быстрого доступа к данным. Устройство поддерживает широкий диапазон напряжений питания от 1,8 В до 5,5 В, что обеспечивает его совместимость с различными электронными системами.

  • Тип памяти: EEPROM
  • Объём и организация памяти: 1K (128 x 8 или 64 x 16)
  • Быстродействие: 2 МГц
  • Интерфейс: Microwire, 3-Wire Serial
  • Напряжение питания: 1,8 В ~ 5,5 В
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2500 шт
  • Корпус: SO-8

Благодаря своим характеристикам, микросхема M93C46-RMN3TP/K идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, таких как промышленные контроллеры, бытовая техника, автомобильная электроника, системы безопасности и многие другие. Энергонезависимая память позволяет надёжно хранить критически важные данные, а высокое быстродействие обеспечивает быстрый доступ к ним.