NDS0605, Транзистор полевой P-канальный 60В 180мА, 0.36Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 180мА |
| Сопротивление открытого канала: | 5 Ом |
| Мощность макс.: | 360мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 2.5нКл |
| Входная емкость: | 79пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | NDS0605 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 60V 180MA SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
NDS0605, Транзистор полевой P-канальный 60В 180мА, 0.36Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 180мА Сопротивление открытого канала: 5 Ом Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.