IRF3709STRLPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 90A |
| Сопротивление открытого канала: | 9 мОм |
| Мощность макс.: | 3.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Входная емкость: | 2672пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | IRF3709STRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
Компонент IRF3709STRLPBF, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 90 А (Infineon Technologies), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 800 шт.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 9 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал