PMV48XP,215, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 3.5А 0.93Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 3.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 55 мОм |
| Мощность макс.: | 510мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.25В |
| Заряд затвора: | 11нКл |
| Входная емкость: | 1000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (TO-236AB) |
| Вес брутто: | 0.02 г. |
| Наименование: | PMV48XP,215 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канальный PMV48XP,215 от компании NEXPERIA. Этот компонент является отличным решением для широкого спектра электронных устройств, где требуется надежное и эффективное управление питанием.
Транзистор PMV48XP,215 отличается высокой производительностью и низким сопротивлением открытого канала, что обеспечивает минимальные потери и высокую энергоэффективность. Его ключевые технические характеристики включают максимальное напряжение сток-исток 20В, максимальный ток стока 3.5А и максимальную мощность 510мВт.
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 3.5A
- Сопротивление открытого канала: 55 мОм
- Мощность макс.: 510мВт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.25В
- Заряд затвора: 11нКл
- Входная емкость: 1000пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
- Вес брутто: 0.02 г.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор PMV48XP,215 идеально подходит для применения в различных электронных схемах, включая источники питания, усилители мощности, коммутаторы и другие устройства, где требуется надежное и эффективное управление питанием. Благодаря своим техническим характеристикам, этот компонент обеспечивает высокую производительность и энергоэффективность, что делает его отличным выбором для современных электронных разработок.