FCD9N60NTM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 385 мОм |
| Мощность макс.: | 92.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 17.8нКл |
| Входная емкость: | 1000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FCD9N60NTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FCD9N60NTM, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 9 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 92.6Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.