IRF7410GTRPBF, Полевой транзистор P-канальный 12В 16A 8-SOIC
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 7 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 900mВ |
| Заряд затвора: | 91нКл |
| Входная емкость: | 8676пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7410GTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
IRF7410GTRPBF, Полевой транзистор P-канальный 12В 16A 8-SOIC — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Infineon Technologies.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Нормоупаковка: 1 шт.
- Описание Eng: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ
- Производитель: Infineon Technologies
- Сопротивление открытого канала: 7 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: P-канал