SPA07N60C3XKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 7.3A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 7.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 600 мОм |
| Мощность макс.: | 32Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 790пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | PG-TO220-FP |
| Вес брутто: | 3.1 г. |
| Наименование: | SPA07N60C3XKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор SPA07N60C3XKSA1 от надежного производителя Infineon Technologies. Этот транзистор обладает внушительными характеристиками и широким спектром применения в электронных устройствах.
Ключевые особенности данного компонента:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В - позволяет использовать транзистор в высоковольтных схемах
- Ток стока макс.: 7.3A - обеспечивает высокую мощность коммутации
- Сопротивление открытого канала: 600 мОм - низкие потери на проводимость
- Мощность макс.: 32Вт - широкие возможности по рассеиванию тепла
- Тип транзистора: N-канал - наиболее распространенный тип для построения различных электронных схем
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В - простое управление от логических схем
- Заряд затвора: 27нКл, Входная емкость: 790пФ - быстрое переключение
- Тип монтажа: Through Hole - простая установка на печатную плату
- Корпус: PG-TO220-FP - стандартный корпус с возможностью установки радиатора
Транзистор SPA07N60C3XKSA1 находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, а также в различных усилительных и коммутирующих схемах. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом для современной электроники.