Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный SPD06N80C3ATMA1 от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот транзистор отличается надежностью, высокой производительностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Ключевыми характеристиками данного транзистора являются:

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 6A
• Сопротивление открытого канала: 900 мОм
• Мощность макс.: 83Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
• Заряд затвора: 41нКл
• Входная емкость: 785пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 0.4 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт
• Корпус: PG-TO252-3

Транзистор SPD06N80C3ATMA1 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в различных промышленных и бытовых устройствах. Его высокая производительность, надежность и универсальность делают его идеальным выбором для многих проектов.