SPP06N80C3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 6A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 900 мОм |
| Мощность макс.: | 83Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 41нКл |
| Входная емкость: | 785пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | PG-TO220-3 |
| Вес брутто: | 2.92 г. |
| Наименование: | SPP06N80C3 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный SPP06N80C3 от компании Infineon Technologies. Этот высоковольтный транзистор обладает широким спектром технических характеристик, делающих его незаменимым компонентом для широкого круга электронных устройств.
SPP06N80C3 - это мощный N-канальный MOSFET транзистор, способный выдерживать напряжение до 800 вольт между истоком и стоком, а также пропускать ток до 6 ампер. Благодаря своим выдающимся характеристикам, данный транзистор находит применение в самых различных областях электроники: от импульсных источников питания и инверторов до высоковольтных коммутаторов и преобразователей напряжения.
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 6A
- Сопротивление открытого канала: 900 мОм
- Мощность макс.: 83Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 41нКл
- Входная емкость: 785пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: PG-TO220-3
- Вес брутто: 2.92 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 50 шт
Транзистор SPP06N80C3 идеально подходит для использования в различных высоковольтных электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, высоковольтные коммутаторы и многие другие устройства, где требуется надежный и высокопроизводительный компонент. Благодаря своим характеристикам, данный транзистор является отличным выбором для разработчиков и инженеров, работающих в области силовой электроники.