Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор SPP11N60C3XKSA1 от известного производителя Infineon Technologies. Этот компонент относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается высокими техническими характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре электронных устройств.

Ключевые параметры данного транзистора включают в себя максимальное напряжение исток-сток 650В, максимальный ток стока 11А, сопротивление открытого канала 380 мОм, а также максимальную мощность 125Вт. Транзистор имеет N-канальную структуру и пороговое напряжение включения не более 3.9В. Благодаря заряду затвора 60нКл и входной емкости 1200пФ, SPP11N60C3XKSA1 обеспечивает высокую скорость переключения и эффективность работы.

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 380 мОм
• Мощность макс.: 125Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
• Заряд затвора: 60нКл
• Входная емкость: 1200пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.95 г.

Транзистор SPP11N60C3XKSA1 от Infineon Technologies идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в устройствах плавного пуска электродвигателей и многих других электронных приложениях, где требуются высокая надежность и производительность.