Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies. Данная модель SPP11N80C3XKSA1 отличается надежностью, долговечностью и высокой эффективностью, что делает ее незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

Этот транзистор обладает впечатляющими характеристиками, включая максимальное напряжение сток-исток 800 В, максимальный ток стока 11 А и сопротивление открытого канала всего 450 мОм. Благодаря своим техническим параметрам, SPP11N80C3XKSA1 идеально подходит для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 450 мОм
• Мощность макс.: 156Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
• Заряд затвора: 85нКл
• Входная емкость: 1600пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: PG-TO220-3
• Вес брутто: 2.97 г.

Благодаря своим характеристикам, транзистор SPP11N80C3XKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, коммутаторы, инверторы, преобразователи постоянного тока, регуляторы напряжения и многое другое. Его высокая надежность и эффективность делают его идеальным выбором для использования в промышленных, бытовых и автомобильных приложениях.