Представляем вашему вниманию мощный N-канальный MOSFET транзистор SPP20N60C3XKSA1 от компании Infineon Technologies. Этот надежный компонент обладает впечатляющими характеристиками и широким спектром применений в современной электронике.

Ключевыми особенностями данного транзистора являются высокое напряжение сток-исток до 650В, большая пропускная способность тока стока до 20.7А, а также низкое сопротивление открытого канала всего 190 мОм. Благодаря этим параметрам, SPP20N60C3XKSA1 идеально подходит для использования в высоковольтных и высокомощных схемах.

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 20.7A
• Сопротивление открытого канала: 190 мОм
• Мощность макс.: 208Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
• Заряд затвора: 114нКл
• Входная емкость: 2400пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.85 г

Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор SPP20N60C3XKSA1 широко применяется в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в устройствах плавного пуска и управления двигателями. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом для проектирования современной электронной аппаратуры.