Представляем вашему вниманию полевой N-канальный MOSFET транзистор SPP20N65C3XKSA1 от Infineon Technologies. Этот высокомощный компонент отличается надежностью и высокой производительностью, что делает его незаменимым в широком спектре электронных устройств.

Транзистор SPP20N65C3XKSA1 обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые позволяют ему эффективно работать в самых требовательных приложениях. Его основные особенности представлены ниже:

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 20.7A
• Сопротивление открытого канала: 190 мОм
• Мощность макс.: 208Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
• Заряд затвора: 114нКл
• Входная емкость: 2400пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: PG-TO220-3-1
• Вес брутто: 3.09 г.

Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор SPP20N65C3XKSA1 находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, а также в промышленном и автомобильном оборудовании. Его надежность и высокая производительность делают его идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.