• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

SPW16N50C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:560В
Ток стока макс.:16A
Сопротивление открытого канала:280 мОм
Мощность макс.:160Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.9В
Заряд затвора:66нКл
Входная емкость:1600пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-247
Вес брутто:7.78 г.
Наименование:SPW16N50C3FKSA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 560V 16A TO-247
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:30 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от ведущего производителя электронных компонентов Infineon Technologies. Модель SPW16N50C3FKSA1 отличается надежностью, высокой мощностью и широким диапазоном напряжений, что делает ее универсальным решением для различных электронных устройств и систем.

Этот транзистор обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые позволяют использовать его в самых требовательных приложениях. Благодаря сочетанию высокого напряжения, тока и низкого сопротивления открытого канала, данная модель является идеальным выбором для применения в преобразователях, инверторах, источниках питания и других мощных электронных схемах.

  • Напряжение исток-сток макс.: 560В
  • Ток стока макс.: 16A
  • Сопротивление открытого канала: 280 мОм
  • Мощность макс.: 160Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
  • Заряд затвора: 66нКл
  • Входная емкость: 1600пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-247
  • Вес брутто: 7.78 г

Транзистор SPW16N50C3FKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленное оборудование, автомобильную электронику, возобновляемые источники энергии, бытовую технику и многое другое. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом для разработчиков и инженеров, стремящихся к созданию эффективных и надежных электронных систем.