SPW16N50C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 16A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 560В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 280 мОм |
| Мощность макс.: | 160Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 66нКл |
| Входная емкость: | 1600пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 7.78 г. |
| Наименование: | SPW16N50C3FKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 560V 16A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от ведущего производителя электронных компонентов Infineon Technologies. Модель SPW16N50C3FKSA1 отличается надежностью, высокой мощностью и широким диапазоном напряжений, что делает ее универсальным решением для различных электронных устройств и систем.
Этот транзистор обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые позволяют использовать его в самых требовательных приложениях. Благодаря сочетанию высокого напряжения, тока и низкого сопротивления открытого канала, данная модель является идеальным выбором для применения в преобразователях, инверторах, источниках питания и других мощных электронных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 560В
- Ток стока макс.: 16A
- Сопротивление открытого канала: 280 мОм
- Мощность макс.: 160Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 66нКл
- Входная емкость: 1600пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247
- Вес брутто: 7.78 г
Транзистор SPW16N50C3FKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленное оборудование, автомобильную электронику, возобновляемые источники энергии, бытовую технику и многое другое. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом для разработчиков и инженеров, стремящихся к созданию эффективных и надежных электронных систем.