SPW17N80C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 17A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 17A |
| Сопротивление открытого канала: | 290 мОм |
| Мощность макс.: | 208Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 177нКл |
| Входная емкость: | 2320пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | PG-TO-247-3 |
| Вес брутто: | 8 г. |
| Наименование: | SPW17N80C3FKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор MOSFET N-канального типа SPW17N80C3FKSA1 от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его незаменимым выбором для широкого спектра электронных устройств и систем.
Ключевые особенности данного транзистора включают в себя высокое максимальное напряжение сток-исток до 800 В, а также впечатляющий максимальный ток стока до 17 А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 290 мОм, этот транзистор обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери, что делает его идеальным выбором для силовых схем и высокопроизводительных преобразователей.
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 17A
- Сопротивление открытого канала: 290 мОм
- Мощность макс.: 208Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 177нКл
- Входная емкость: 2320пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: PG-TO-247-3
- Вес брутто: 8 г
Благодаря своим характеристикам, транзистор SPW17N80C3FKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы скорости двигателей и многое другое. Его надежность и высокая производительность делают его идеальным выбором для инженеров, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные устройства.