Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор SPW20N60CFDFKSA1 от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET транзистор с максимальным напряжением сток-исток 650В и током стока до 20.7А обеспечивает надежную работу в широком спектре электронных устройств и силовых преобразователей.

Ключевые характеристики данной модели включают низкое сопротивление открытого канала всего 220 мОм, максимальную мощность 208Вт, а также малые значения заряда затвора и входной емкости, что позволяет реализовать быстродействующие схемы с высокой энергоэффективностью. Транзистор имеет корпус TO-247 для монтажа в отверстия печатной платы.

• Напряжение исток-сток макс.: 650В
• Ток стока макс.: 20.7A
• Сопротивление открытого канала: 220 мОм
• Мощность макс.: 208Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 124нКл
• Входная емкость: 2400пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247
• Вес брутто: 8.07 г
• Примечание: Восстановлены. Проверено
• Описание Eng: Field-effect transistor, N-channel, 600V 20A 208W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 30 шт

Данный транзистор идеально подходит для применения в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, регуляторах скорости двигателей и других высокочастотных силовых схемах. Благодаря своим превосходным техническим характеристикам, надежности и доступной цене, SPW20N60CFDFKSA1 является оптимальным выбором для разработчиков электронных устройств.