SPW32N50C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 560В 32A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 560В |
| Ток стока макс.: | 32A |
| Сопротивление открытого канала: | 110 мОм |
| Мощность макс.: | 284Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 170нКл |
| Входная емкость: | 4200пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 8.5 г. |
| Наименование: | SPW32N50C3FKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 560V 32A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор N-канала SPW32N50C3FKSA1 от компании Infineon Technologies. Этот высоковольтный MOSFET-транзистор обладает исключительными характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.
Ключевые особенности данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 560 В, максимальный ток стока 32 А и низкое сопротивление открытого канала всего 110 мОм. Эти параметры позволяют использовать SPW32N50C3FKSA1 в мощных схемах коммутации, инверторах, источниках питания и других высоковольтных приложениях.
- Напряжение исток-сток макс.: 560В
- Ток стока макс.: 32A
- Сопротивление открытого канала: 110 мОм
- Мощность макс.: 284Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 170нКл
- Входная емкость: 4200пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247
- Вес брутто: 8.5 г
Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежной конструкции, транзистор SPW32N50C3FKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая промышленное оборудование, бытовую технику, источники питания, инверторы и многое другое. Его высокая производительность и эффективность делают его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать передовые электронные устройства.