FDB031N08, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 75В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.1 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 220нКл |
| Входная емкость: | 15160пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FDB031N08 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FDB031N08, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 75В Ток стока макс.: 120A Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.