Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канала STD10NM60N от ведущего производителя электронных компонентов ST Microelectronics. Этот надёжный и эффективный компонент обладает широким спектром технических характеристик, которые делают его идеальным решением для широкого круга применений в электронной промышленности.

Транзистор STD10NM60N отличается высоким напряжением сток-исток до 600 В, максимальным током стока до 10 А и низким сопротивлением открытого канала всего 550 мОм, что обеспечивает его высокую производительность и эффективность. Кроме того, компонент имеет малую входную емкость 540 пФ и небольшой заряд затвора 19 нКл, что позволяет использовать его в высокочастотных применениях.

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 10A
• Сопротивление открытого канала: 550 мОм
• Мощность макс.: 70Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 19нКл
• Входная емкость: 540пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK
• Вес брутто: 0.6 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор STD10NM60N от ST Microelectronics идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, регуляторы мощности и многих других приложениях, где требуются надёжные и эффективные компоненты с высокими рабочими характеристиками.