NTE4151PT1G, Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 760мА |
| Сопротивление открытого канала: | 360 мОм |
| Мощность макс.: | 313мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 450mВ |
| Заряд затвора: | 2.1нКл |
| Входная емкость: | 156пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SC-89 |
| Наименование: | NTE4151PT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 760MA SC-89 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
NTE4151PT1G, Транзистор полевой P-канальный 20В 760мА - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 760мА Сопротивление открытого канала: 360 мОм Мощность макс.: 313мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 450mВ
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.