Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный STP10NM60N от компании ST Microelectronics. Данная модель отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применения в различных электронных устройствах.

Ключевые характеристики данного транзистора:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 10A
• Сопротивление открытого канала: 550 мОм
• Мощность макс.: 70Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 19нКл
• Входная емкость: 540пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.7 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 8A TO220
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP10NM60N от ST Microelectronics идеально подходит для использования в различных схемах силовой электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения и другие устройства, где требуется высокое напряжение и ток. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор обеспечивает надежную работу и эффективное управление мощностью в широком диапазоне применений.