STP34NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 29А 210Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 29A |
| Сопротивление открытого канала: | 105 мОм |
| Мощность макс.: | 210Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 80нКл |
| Входная емкость: | 2722пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3 г. |
| Наименование: | STP34NM60N |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-MOS+D 600V, 29A, 210W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор STP34NM60N от ведущего производителя электронных компонентов ST Microelectronics. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах и силовых схемах.
Ключевые особенности данного транзистора включают в себя высокое напряжение сток-исток до 600В, максимальный ток стока до 29А и максимальную мощность 210Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 105 мОм, STP34NM60N демонстрирует отличные показатели энергоэффективности и малые потери при коммутации.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 29A
- Сопротивление открытого канала: 105 мОм
- Мощность макс.: 210Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 80нКл
- Входная емкость: 2722пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220
- Вес брутто: 3 г
Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор STP34NM60N идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как инверторы, импульсные источники питания, регуляторы напряжения, преобразователи постоянного тока, а также в устройствах для управления электродвигателями, сварочным оборудованием и другой высоковольтной техникой. Надежность, высокая производительность и широкие возможности применения делают этот транзистор незаменимым компонентом для разработчиков современной электроники.