Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канальный STP80NF12 от компании ST Microelectronics. Этот надёжный компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками, позволяющими использовать его в широком спектре электронных устройств и силовых схемах.

Транзистор STP80NF12 отличается высоким напряжением сток-исток до 120В, током стока до 80А и максимальной мощностью до 300Вт. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала всего 18 мОм, он демонстрирует высокую эффективность и малые потери при коммутации больших токовых нагрузок.

• Напряжение исток-сток макс.: 120В
• Ток стока макс.: 80А
• Сопротивление открытого канала: 18 мОм
• Мощность макс.: 300Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2В
• Заряд затвора: 189нКл
• Входная емкость: 4300пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.72 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 120V 80A TO-220, 300W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP80NF12 находит широкое применение в силовой электронике, инверторах, источниках питания, регуляторах напряжения и тока, а также в других устройствах, требующих коммутации больших токовых нагрузок. Благодаря своим характеристикам, этот компонент идеально подходит для использования в промышленном и бытовом оборудовании, электротранспорте, солнечных инверторах и многих других областях.