• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP9N60M2, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 5.5А 60Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:5.5A
Сопротивление открытого канала:780 мОм
Мощность макс.:60Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:10нКл
Входная емкость:320пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220
Вес брутто:2.74 г.
Наименование:STP9N60M2
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию полевой N-канальный транзистор STP9N60M2 от компании ST Microelectronics. Этот надежный компонент обладает превосходными характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах. Транзистор отличается высоким напряжением сток-исток, низким сопротивлением открытого канала и высокой максимальной мощностью, что делает его идеальным выбором для использования в схемах силовой электроники, импульсных источников питания и других приложениях.

Основные технические характеристики транзистора STP9N60M2 включают в себя:

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 5.5A
  • Сопротивление открытого канала: 780 мОм
  • Мощность макс.: 60Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 10нКл
  • Входная емкость: 320пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220
  • Вес брутто: 2.74 г.

Транзистор STP9N60M2 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, преобразователи постоянного тока, инверторы, регуляторы напряжения и другие устройства, где требуется использование мощных ключевых элементов. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для инженеров, проектирующих высокопроизводительные и энергоэффективные схемы.