IRFBE30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 3 Ом |
| Мощность макс.: | 125Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 78нКл |
| Входная емкость: | 1300пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.76 г. |
| Наименование: | IRFBE30PBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Компонент IRFBE30PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.1А 125Вт, 3 Ом (Vishay), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: TO-220AB
- Мощность макс.: 125Вт
- Наименование: IRFBE30PBF
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Нормоупаковка: 50 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Производитель: Vishay