STT6N3LLH6, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 6A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 25 мОм |
| Мощность макс.: | 1.6Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 3.6нКл |
| Входная емкость: | 283пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-6 |
| Вес брутто: | 0.01 г. |
| Наименование: | STT6N3LLH6 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Полевой транзистор MOSFET STT6N3LLH6 от компании ST Microelectronics - надежный и эффективный компонент для широкого спектра электронных устройств. Этот N-канальный транзистор отличается высокой производительностью, низким сопротивлением открытого канала и способен коммутировать ток до 6 ампер при напряжении до 30 вольт.
Благодаря своим характеристикам, транзистор STT6N3LLH6 идеально подходит для применения в схемах управления, усилителях мощности, коммутационных устройствах и других электронных системах, где требуется надежное и эффективное управление током и напряжением.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 6A
- Сопротивление открытого канала: 25 мОм
- Мощность макс.: 1.6Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Заряд затвора: 3.6нКл
- Входная емкость: 283пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-23-6
- Вес брутто: 0.01 г.
Транзистор STT6N3LLH6 широко применяется в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, драйверы двигателей, коммутационные схемы и многое другое. Его высокая надежность, эффективность и компактные размеры делают его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать передовые и энергоэффективные электронные решения.