STW11NK90Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 900В 9.2A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 900В |
| Ток стока макс.: | 9.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 980 мОм |
| Мощность макс.: | 200Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 115нКл |
| Входная емкость: | 3000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247-3 |
| Вес брутто: | 5 г. |
| Наименование: | STW11NK90Z |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный модели STW11NK90Z от компании ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокой надежностью, превосходными электрическими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронной аппаратуре.
Транзистор STW11NK90Z разработан для использования в схемах с высоким напряжением и током, обеспечивая при этом низкое сопротивление открытого канала. Благодаря этому он может применяться в качестве ключевого элемента в различных преобразовательных устройствах, усилителях мощности, системах управления электродвигателями и других ответственных электронных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 900В
- Ток стока макс.: 9.2A
- Сопротивление открытого канала: 980 мОм
- Мощность макс.: 200Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 115нКл
- Входная емкость: 3000пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247-3
- Вес брутто: 5 г
Транзистор STW11NK90Z может использоваться в широком спектре электронных устройств, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, устройства плавного пуска электродвигателей и другие схемы, требующие надежных ключевых элементов с высокими параметрами. Благодаря своим характеристикам он является оптимальным решением для применения в современной силовой электронике.