IRLR3105PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 25А 57Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 25A |
| Сопротивление открытого канала: | 37 мОм |
| Мощность макс.: | 57Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 20нКл |
| Входная емкость: | 710пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.78 г. |
| Наименование: | IRLR3105PBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-MOS 55V, 25A, 57W (Logic-Level) |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 75 шт |
Описание
IRLR3105PBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 25А 57Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 55В Ток стока макс.: 25A Сопротивление открытого канала: 37 мОм Мощность макс.: 57Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.