SI2369DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 7.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 29 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 36нКл |
| Входная емкость: | 1295пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-236 |
| Наименование: | SI2369DS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2369DS-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 7.6A - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Vishay. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 7.6A Сопротивление открытого канала: 29 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.