SI4056DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 11.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 23 мОм |
| Мощность макс.: | 5.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.8В |
| Заряд затвора: | 29.5нКл |
| Входная емкость: | 900пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.23 г. |
| Наименование: | SI4056DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
SI4056DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 11.1А 2.5Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 11.1A Сопротивление открытого канала: 23 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.